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Micro- et nano-électronique : évolution, état de l'art et perspectives des technologies CMOS, Beyond-CMOS et Mémoires

CNRS Formation Entreprises
Résumé
2 Jours
1 000 EUR
Formation Professionnelle
Prochaine session : 29/09/2021 - Grenoble
En centre de formation

Objectifs visés

- Connaître les propriétés électriques et les performances des technologies nanoélectroniques
- Etre sensibilisé aux principaux défis et aux solutions les plus prometteuses pour différentes applications
- Mettre à jour ses connaissances sur les nouveaux matériaux et architectures des composants électroniques

Contenu

- Evolution, limites et perspectives pour les composants nanoélectroniques, Roadmap internationale IRDS (International Roadmap for Devices and Systems)
- Physique de l'effet de champ, de la capacité MOS et du transistor MOS
- Propriétés électriques des composants MOS de petites géométries : transport de charges, effets de canaux courts et de diélectriques minces de grille, variabilité, fiabilité
- Principales méthodes de caractérisation des propriétés électriques des composants
- Propriétés électriques des dispositifs MOS innovants : diélectrique « high k », canaux à semiconducteurs contraints
- Propriétés spécifiques et intérêt des composants MOS Silicium-sur-isolant (SOI)
- Propriétés et performance des composants électroniques multi-grilles
- Dispositifs nanoélectroniques ultimes et Beyond-CMOS (Multi-canaux, Nanofils, Tunnel FETs, Negative capacitance FET, Nanotubes de carbone...)
- Evolution, limites et perspectives pour les mémoires DRAM, SRAM, non-volatiles

Dernière demi-journée consacrée à des discussions et échanges sur des cas proposés par les participants

Public Cible


Ingénieurs ou chercheurs des secteurs électronique et microélectronique

Prérequis


Niveau équivalent à un master ou à un diplome d'ingénieur en électronique

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Contact

CNRS Formation Entreprises

Avenue de la Terrasse
91190 Gif-sur-Yvette Cedex

 Afficher le numéro
cnrsformation.cnrs.fr

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