Micro- et nano-électronique : évolution, état de l'art et perspectives des technologies CMOS, Beyond-CMOS et Mémoires
CNRS Formation EntreprisesObjectifs visés
- Etre sensibilisé aux principaux défis et aux solutions les plus prometteuses pour différentes applications
- Mettre à jour ses connaissances sur les nouveaux matériaux et architectures des composants électroniques
Contenu
- Physique de l'effet de champ, de la capacité MOS et du transistor MOS
- Propriétés électriques des composants MOS de petites géométries : transport de charges, effets de canaux courts et de diélectriques minces de grille, variabilité, fiabilité
- Principales méthodes de caractérisation des propriétés électriques des composants
- Propriétés électriques des dispositifs MOS innovants : diélectrique « high k », canaux à semiconducteurs contraints
- Propriétés spécifiques et intérêt des composants MOS Silicium-sur-isolant (SOI)
- Propriétés et performance des composants électroniques multi-grilles
- Dispositifs nanoélectroniques ultimes et Beyond-CMOS (Multi-canaux, Nanofils, Tunnel FETs, Negative capacitance FET, Nanotubes de carbone...)
- Evolution, limites et perspectives pour les mémoires DRAM, SRAM, non-volatiles
Dernière demi-journée consacrée à des discussions et échanges sur des cas proposés par les participants
Public Cible
Ingénieurs ou chercheurs des secteurs électronique et microélectronique
Prérequis
Niveau équivalent à un master ou à un diplome d'ingénieur en électronique
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Contact
CNRS Formation Entreprises
Organisme de formation: CNRS Formation Entreprises

CNRS Formation Entreprises propose aux chercheurs, ingénieurs et techniciens, des stages de formation aux technologies de pointe. Au cours des 10 dernières années, plus de 950 entreprises ont fait confiance au CNRS pour former leurs salariés. Le CNRS s’est donné...
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